利用红外光谱测定双层石墨烯中栅压可调带隙与紧束缚参数
强关联电子
2015-05-13 v1
摘要
我们通过使用紧束缚模型和Kubo公式，在较大掺杂范围内拟合栅压调制的红外反射率光谱，为剥离的底栅双层石墨烯中带隙的打开提供了令人信服的证据。实验光谱与计算光谱之间达到了密切的定量一致，从而使我们能够自洽地确定完整的Slonczewski-Weiss-McClure紧束缚参数集以及随栅压变化的带隙。带隙的掺杂依赖性与考虑自屏蔽效应的现有计算结果吻合良好。我们还发现了紧束缚模型与数据之间的某些不匹配，这些不匹配可能与电子-电子和电子-声子相互作用有关。
引用
@article{arxiv.0908.0672,
title = {Determination of the gate-tunable bandgap and tight-binding parameters in bilayer graphene using infrared spectroscopy},
author = {A. B. Kuzmenko and I. Crassee and D. van der Marel and P. Blake and K. S. Novoselov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0672},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 10 figures