关于可调带隙双层石墨烯场效应晶体管的可能性
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们探索了可调带隙双层石墨烯场效应晶体管的器件潜力，利用通过独立栅极操作施加垂直电场在双层石墨烯中打开带隙的可能性。我们使用基于NEGF框架内泊松方程和薛定谔方程自洽求解的原子级模拟来评估器件行为。我们表明该概念可行，但带隙打开不足以抑制带间隧穿，从而无法获得足够大的Ion/Ioff比以满足CMOS器件操作。
引用
@article{arxiv.0810.0128,
title = {On the possibility of tunable-gap bilayer graphene FET},
author = {G. Fiori and G. Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.0128},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures, submitted to IEEE EDL