石墨烯/h-BN 异质双层中的应变可调带隙
介观与纳米尺度物理
2012-04-11 v1 材料科学
摘要
利用局域密度近似（LDA）内的全势密度泛函计算，我们预测通过在石墨烯/六方氮化硼异质双层（C/h-BN HBL）中施加面内均匀双轴应变，可以实现机械可调的带隙和准粒子有效质量。在为实验观测到的 C/h-BN HBL 的无隙类原始石墨烯电子性质提供一种可能解释（理论上其具有窄带隙）的同时，我们提出了一个验证我们结果的示意性实验方案，该方案可能在基于 C/h-BN HBL 的纳米机电系统（NEMS）、纳米光机电系统（NOMS）及其他纳米器件中找到应用。
引用
@article{arxiv.1204.2030,
title = {Strain-tunable band gap in graphene/h-BN hetero-bilayer},
author = {Harihar Behera and Gautam Mukhopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2030},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 8 figures