高载流子迁移率 BN 掺杂石墨烯系统的带隙调控
介观与纳米尺度物理
2014-02-25 v2 材料科学
摘要
利用密度泛函理论，我们对 BN 掺杂石墨烯单层、双层、三层及多层系统的电子性质进行了比较研究。此外，我们还探讨了原始石墨烯与 BN 掺杂石墨烯的超晶格。我们考虑了从 12.5% 到 75% 的五种掺杂浓度，获得的带隙范围为 0.02 eV 至 2.43 eV。我们表明，有效质量在 0.007 到 0.209 个自由电子质量之间变化，类似于电荷载流子的高迁移率。
引用
@article{arxiv.1402.0122,
title = {Band gap tunning in BN-doped graphene systems with high carrier mobility},
author = {T. P. Kaloni and R. P. Joshi and N. P. Adhikari and U. Schwingenschlögl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.0122},
year = {2014}
}
备注
3 figures and 1 Table