BN 取代双层石墨烯纳米结中的电子输运
材料科学
2016-05-25 v1 介观与纳米尺度物理
化学物理
摘要
我们利用密度泛函理论（DFT）计算研究了一种悬浮双层石墨烯，其底层（顶层）通过硼（氮）取代原子进行掺杂。我们发现，在高掺杂浓度下（每 32 个 C 原子对应一对 B-N），双层石墨烯的电子结构不依赖于 B-N 距离，而是取决于 B 和 N 对双层石墨烯子晶格的相对占据情况。我们发现层间建立了一个大的内建电场，从而产生能隙。我们进一步研究了输运性质，发现层内电子电流受这些掺杂剂存在的影响较弱，而在偏压允许 N 和 B 态能量对齐时，层间电流显著增强。这种效应导致非对称结中的电流整流。
引用
@article{arxiv.1401.3678,
title = {Electronic transport in BN-substituted bilayer graphene nano-junctions},
author = {Daniele Giofré and Davide Ceresoli and Mario I. Trioni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.3678},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 7 figures