单层六方BNC异质结构的可调带隙
材料科学
2015-05-28 v2
摘要
通过用B和N原子替代石墨烯中的C原子进行带隙工程已被证明是改善石墨烯半导体性质的一种有前景的方法。这种由石墨烯中的六方BN相组成的杂化单层(h-BNC)最近已被合成和表征。在本文中，我们基于从头算密度泛函理论(DFT)研究了h-BN畴尺寸对单层h-BNC异质结构带隙的影响。我们考察了五种h-BNC构型的原子结构、电子能带结构、态密度和电子局域化函数，其中h-BN浓度从0%到100%变化。我们报告，h-BNC的带隙能量可以作为h-BN浓度的函数连续且二次地调谐。
引用
@article{arxiv.1105.3776,
title = {Tunable Band Gaps of Mono-layer Hexagonal BNC Heterostructures},
author = {Qing Peng and Amir Zamiri and Suvranu De},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.3776},
year = {2015}
}
备注
4 pages,5 figures, 1 table