通过功能化调控氮化硼薄片的带隙
材料科学
2015-05-28 v1
摘要
基于第一性原理计算，我们研究了单层六方氮化硼薄片经不同基团（如H、F、OH、CH3、CHO、CN、NH2等）化学功能化后的稳定性与物理性质。我们发现，使用这些基团对六方氮化硼薄片进行全功能化会导致其电子带隙减小，尽管减小幅度因掺杂基团而异，范围从0.3 eV到3.1 eV不等。特别是CHO基团的功能化，使原始氮化硼薄片的电子带隙急剧减小至约0.3 eV，这有利于其在晶体管器件中的应用。对这些薄片的声子计算表明，其所有振动模式对应的频率均为实数（正值），从而表明其固有的稳定性。这些基团对薄片中B原子和N原子的化学吸附能处于1.5至6 eV的范围内。
引用
@article{arxiv.1106.3398,
title = {Band gap engineering by functionalization of BN sheet},
author = {A. Bhattacharya and S. Bhattacharya and G. P. Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3398},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 2 figures PRB(submitted)