基于GW计算得到的纯石墨烷与官能化石墨烷的精确电子带隙
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们使用GW近似研究了最近合成的氢化石墨烯（命名为石墨烷）的电子结构。对于两种构型，发现最小带隙在点处是直接带隙，在稳定的椅型构型中其值为5.4 eV，其中H原子交替连接在二维碳网络相对两侧的C原子上。在亚稳态的船型构型中，能隙为4.9 eV。随后，使用超胞方法，通过引入羟基或H空位来修饰石墨烷的电子结构。在后一种情况下，在价带顶上方约2 eV处出现了一个杂质态。
引用
@article{arxiv.0903.0310,
title = {Accurate electronic band gap of pure and functionalized graphane from GW calculations},
author = {S. Lebegue and M. Klintenberg and O. Eriksson and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.0310},
year = {2015}
}
备注
Submited to Physical Review Letters