单层六方氮化硼的力学性能及应变调控带隙
材料科学
2013-09-04 v1
摘要
当前对二维材料的兴趣已从石墨烯扩展到其他系统，如单层六方氮化硼（h-BN），这是为了构建异质结构以实现石墨烯无法达到的卓越特性。电绝缘的 h-BN 和半金属石墨烯可能为通过操纵此类异质结构的形貌和成分来实现半导体提供良好的机会。本文报道了利用密度泛函理论计算得到的 h-BN 力学性能及其通过机械应变调控的能带结构。h-BN 的弹性性能，包括杨氏模量和弯曲刚度，均是各向同性的。我们揭示了 h-BN 中带隙与施加的拉伸应变之间存在双线性依赖关系。机械应变可将单层 h-BN 从绝缘体调控为半导体，其带隙范围在 4.7 eV 至 1.5 eV 之间。
引用
@article{arxiv.1301.2104,
title = {Mechanics and Tunable Bandgap by Straining in Single-Layer Hexagonal Boron-Nitride},
author = {Jiangtao Wu and Baolin Wang and Yujie Wei and Ronggui Yang and Mildred Dresselhaus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.2104},
year = {2013}
}
备注
16 pages, 5 figures