缺陷石墨烯/h-BN 异质结构中的带隙态与带隙修饰
材料科学
2017-01-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过结合第一性原理计算和模型计算,研究了缺陷在由石墨烯和六方氮化硼 (h-BN) 构成的范德华异质结构中的作用。尽管层间存在弱的范德华相互作用,但位于 h-BN 中的缺陷(如碳杂质和反位缺陷)显示出与石墨烯 p 态的杂化,导致带隙态的形成。诱导的带隙态改变了石墨烯的输运性质,并且可以通过简单的有效紧束缚模型复现。与碳缺陷相反,研究发现氧缺陷不与石墨烯的低能态发生强烈杂化。相反,氧剧烈地修饰了石墨烯的带隙,这种带隙出现在 h-BN 晶格上的共格堆叠中。
引用
@article{arxiv.1611.08753,
title = {Midgap states and band gap modification in defective graphene/h-BN heterostructures},
author = {B. Sachs and T. O. Wehling and M. I. Katsnelson and A. I. Lichtenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08753},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures