石墨烷中缺陷诱导中隙态的第一性原理研究
材料科学
2010-02-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们对含有单空位和双空位缺陷的石墨烷（氢化石墨烯）进行了从头算电子结构计算。态密度分析表明，这些空位会诱导中隙态并改变带隙。这些诱导态源于碳原子上的未配对电子。有趣的是，我们发现这些态的位置和数量对空位之间的距离敏感。此外，我们还发现在大多数情况下，空位会诱导局域磁矩。
引用
@article{arxiv.0908.2730,
title = {Density functional investigations of defect induced mid-gap states in graphane},
author = {Bhalchandra S. Pujari and D. G. Kanhere},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.2730},
year = {2010}
}
备注
15 pages