由单原子缺陷诱导的石墨烯磁性
材料科学
2007-05-23 v3
摘要
我们从第一性原理研究了由单碳原子缺陷诱导的石墨烯磁性。对于本研究中考虑的两种缺陷类型，氢化学吸附缺陷和空位缺陷，均已观察到由于缺陷诱导的延伸态而产生的 itinerant 磁性。计算得到的磁矩分别为每个氢化学吸附缺陷为 1 μB，每个空位缺陷为 1.12-1.53 μB，取决于缺陷浓度。磁矩之间的耦合要么是铁磁性，要么是反铁磁性，这取决于缺陷是否对应于石墨烯晶格的相同或不同六边形子晶格。讨论了 itinerant 磁性与高 Tc 磁有序性之间的关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610638,
title = {Magnetism in Graphene Induced by Single-Atom Defects},
author = {Oleg V. Yazyev and Lothar Helm},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610638},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 6 figures