非磁性缺陷诱导的石墨烯磁性
强关联电子
2007-11-12 v2
摘要
我们证明，强杂质势会在半填充的蜂窝格子上 Hubbard 模型中诱导自身周围的短程反铁磁性（或铁磁性）有序。这意味着石墨烯单层因非磁性缺陷（如完全氢化终止的空位或化学吸附缺陷）而诱导短程磁性有序。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703570,
title = {Nonmagnetic-Defect-Induced Magnetism in Graphene},
author = {Hideki Kumazaki and Dai S. Hirashima},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703570},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 8 figures