对“双层石墨烯-BN异质结构中的可调带隙”一文的评论
材料科学
2010-12-13 v1
摘要
我们使用紧束缚和DFT方法研究了h-BN/石墨烯/h-BN ABC堆叠三层系统的电子性质。我们对Ramasubramaniam等人近期的工作(arxiv:1011.2489)进行评论，其结果似乎与我们近期的计算不一致。详细分析重申了我们之前的结论。
引用
@article{arxiv.1012.2379,
title = {Comment on "Tunable Band Gaps in Bilayer Graphene-BN Heterostructures"},
author = {J. Slawinska and I. Zasada and P. Kosinski and Z. Klusek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.2379},
year = {2010}
}