超低电压双层石墨烯隧穿场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
在这项工作中，我们提出双层石墨烯隧穿场效应晶体管(BG-TFET)作为一种适用于当前技术下制造和电路集成的器件。它在超低电源电压下提供高Ion/Ioff比，且没有石墨烯纳米带在电路集成方面因光刻和图案化要求过高而带来的限制。我们的研究基于在紧束缚哈密顿量下的非平衡格林函数(NEGF)形式中，求解三维空间内耦合的泊松方程和薛定谔方程。我们表明，仅几百毫电子伏特的小可调带隙对于有前景的TFET操作仍然足够，即使在仅0.1 V的电源电压下也能提供超过10^3的高Ion/Ioff比。实现这一性能的关键是双层石墨烯的低量子电容，它使得在室温下能够获得小于20 mV/decade的极小的亚阈值摆幅S。
引用
@article{arxiv.0906.1254,
title = {Ultra-low-voltage bilayer graphene tunnel FET},
author = {G. Fiori and G. Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.1254},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 figures