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具有极高Ion/Ioff比的U形双层石墨烯沟道晶体管

介观与纳米尺度物理 2010-12-07 v1

作者: Z. Moktadir , S. A. Boden , A. Ghiass , H. Rutt. , H. Mizuta

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摘要

报道了一种新型石墨烯晶体管架构。该晶体管具有U形几何结构，并使用镓聚焦离子束（FIB）制备。沟道电导通过背栅进行调谐。Ion/Ioff比超过10^5。

关键词

石墨烯晶体管 U形几何结构镓聚焦离子束背栅 Ion/Ioff比双层石墨烯

引用

@article{arxiv.1012.1105,
  title  = {A U-shaped bilayer graphene channel transistor with a very high Ion/Ioff ratio},
  author = {Z. Moktadir and S. A. Boden and A. Ghiass and H. Rutt. and H. Mizuta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1012.1105},
  year   = {2010}
}