基于石墨烷的双极晶体管
介观与纳米尺度物理
2010-11-29 v1
摘要
石墨烷是一种具有能隙的半导体，通过对二维石墨烯片进行氢化获得。结合二维几何结构、石墨烯独特的输运特性以及石墨烷掺杂的可能性，可以定义p区和n区，从而使得p-n结具有较小的反向电流。我们最近的分析表明，这类结有望获得理想的I-V特性。在此，我们预测了基于石墨烷的双极结型晶体管的行为。计算并讨论了石墨烷晶体管的载流子分布和本征参数。
引用
@article{arxiv.1009.3112,
title = {Bipolar Transistor Based on Graphane},
author = {B. Gharekhanlou and S. B. Tousaki and S. Khorasani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.3112},
year = {2010}
}