双极石墨烯结处的边缘态混合
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1
摘要
利用原子力显微镜 (Atomic Force Microscope) 对单层石墨烯片进行局部操控。对该操控区域及未操控部分的输运测量显示，尽管迁移率保持在 量级，但电荷载流子密度有所不同。通过全局背栅，该系统可从具有不同密度的单极 n-n' 或 p-p' 结调节为双极 p-n 结。跨越该结的磁输运验证了其性质，显示出预期的量子化电阻值以及随磁场极性发生的切换。研究表明，在强磁场下，p-n 结处的边缘态混合受到抑制。
引用
@article{arxiv.1212.2824,
title = {Mixing of Edge States at a Bipolar Graphene Junction},
author = {H. Schmidt and J. C. Rode and C. Belke and D. Smirnov and R. J. Haug},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.2824},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures