石墨烯p-n结中的门控光响应
介观与纳米尺度物理
2011-12-30 v2 仪器与探测器
光学
摘要
我们研究了石墨烯中局部静电门附近的光电探测，该门能够主动控制势垒形貌和载流子极性。我们发现，只有当且仅当形成p-n结时，才会出现强光响应，从而实现对光电探测的开关控制。在p-n结附近产生的光电流无需偏置，并且可以使用亚微米门来实现。局部调制的光响应为基于石墨烯的光电探测器开辟了新的应用领域，例如，在亚波长尺度上实现具有响应控制能力的像素化红外成像。
引用
@article{arxiv.1012.4745,
title = {Gate-activated photoresponse in a graphene p-n junction},
author = {M. C. Lemme and F. H. L. Koppens and A. L. Falk and M. S. Rudner and H. Park and L. S. Levitov and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.4745},
year = {2011}
}