石墨烯晶体管中的光电流成像与高效光子探测
材料科学
2009-12-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们使用扫描光电流成像技术测量了石墨烯晶体管的沟道电势。我们表明，在特定栅极偏压下，金属对沟道电势分布的影响从源极和漏极两侧延伸至沟道总长度的三分之一以上，因此大部分沟道受到金属影响。还测量了不同栅极偏压下金属控制石墨烯与体石墨烯沟道之间的势垒。当栅极偏压超过狄拉克点电压VDirac时，原始的p型石墨烯沟道转变为p-n-p沟道。当光聚焦在p-n结上时，考虑到仅涉及单层原子进行光子探测，实现了令人印象深刻的0.001 A/W外部响应度。
引用
@article{arxiv.0912.4788,
title = {Photocurrent imaging and efficient photon detection in a graphene transistor},
author = {Fengnian Xia and Thomas Mueller and Roksana Golizadeh-mojarad and Marcus Freitag and Yu-ming Lin and James Tsang and Vasili Perebeinos and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4788},
year = {2009}
}
备注
24 pages, 4 figures