二维晶体电解质栅控晶体管形成的p-n结中的光电探测
材料科学
2016-11-17 v1
摘要
过渡金属二硫化物(TMDC)单层因其强光吸收和优异电子特性而受到广泛关注。这些优势使这类二维晶体在光电子器件应用中具有前景。在光电转换器件如光电探测器和光伏电池中，p-n结是最重要的器件之一。这里，我们展示了使用WSe2单层薄膜进行光电探测。我们制备了电解质栅控双极性晶体管，并通过电解质栅控技术在270 K下形成了静电p-n结。这些p-n结被冷却以固定离子运动（及p-n结），我们在无外加偏压的情况下观测到了合理的光电流光谱，表明p-n结的形成。非常有趣的是，两端器件表现出比三端器件更高的光电响应度，这表明形成了高度平衡的阴离子和阳离子层。最大光电响应度在第一激子峰处共振时达到5 mA/W。我们的技术为原子级薄晶体中的光电子学提供了重要证据。
引用
@article{arxiv.1611.01589,
title = {Photodetection in p-n junctions formed by electrolyte-gated transistors of two-dimensional crystals},
author = {Daichi Kozawa and Jiang Pu and Ryo Shimizu and Shota Kimura and Ming-Hui Chiu and Keiichiro Matsuki and Yoshifumi Wada and Tomo Sakanoue and Yoshihiro Iwasa and Lain-Jong Li and Taishi Takenobu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.01589},
year = {2016}
}
备注
Accepted in Applied Physics Letters (2016)