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基于 MoS2/Sb2Te3 异质结的自供宽带光电探测器:一种高灵敏度探测的有前景途径

光学 2022-07-21 v1

摘要

拓扑绝缘体因其非凡的光学与电学性质,在未来光电子技术领域展现出巨大潜力。光电探测器作为应用最广泛的光电器件之一,对于将光信号转换为电信号传感、成像、通信与光学计算系统至关重要。在此,我们通过实验展示一种基于拓扑绝缘体(TIs)与过渡金属硫族化物(TMDs)新型组合的自供光电探测器,其具有超低暗电流与高灵敏度。由 MoS2/Sb2Te3 异质结构成的探测器在零偏压下呈现 2.4 pA 的低暗电流,在 1V 下为 1.2 nA。它在零偏压下展现出 > 150 mA W-1 的高响应度,并在外加 1V 偏压电压下具有 3 倍的整流比。所提出的探测器凭借 TMDs 与 TIs 的创新材料组合所展现的优异性能,为开发新型高性能光电器件铺平了道路。用于形成异质结的 TIs/TMDs 转移易于集成到片上波导系统中,从而实现高度集成光子电路上的未来应用。

关键词

引用

@article{arxiv.2207.09454,
  title  = {Self-Powered Broadband Photodetector Based on MoS2/Sb2Te3 Heterojunctions: A promising approach for highly sensitive detection},
  author = {Hao Wang and Yaliang Gui and Chaobo Dong and Salem Altaleb and Behrouz Movahhed Nouri and Martin Thomaschewski and Hamed Dalir and Volker J. Sorger},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2207.09454},
  year   = {2022}
}

备注

8 Pages, 3 figures