石墨烯的可逆氟化：迈向二维宽带隙半导体
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 材料科学
摘要
我们报道了氟化石墨烯的合成与证据，这是一种源自石墨烯的二维宽带隙半导体。氟化石墨烯具有六方晶序，并在室温下表现出电阻超过10 GΩ的强绝缘行为。由于带隙中存在局域态，氟化石墨烯中的电子输运可用二维变程跳跃很好地描述。通过还原氟化石墨烯得到的石墨烯具有高导电性，室温电阻率低于100 kΩ。我们的方法为可逆地调控石墨烯的能带结构和电导率以用于电子和光学应用提供了一条新途径。
引用
@article{arxiv.1005.0113,
title = {Reversible Fluorination of Graphene: towards a Two-Dimensional Wide Bandgap Semiconductor},
author = {S. -H. Cheng and K. Zou and F. Okino and H. R. Gutierrez and A. Gupta and N. Shen and P. C. Eklund and J. O. Sofo and J. Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.0113},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 5 figures, revtex, to appear in PRB