压力下偏置扭转双层石墨烯中的莫尔激子
介观与纳米尺度物理
2025-03-27 v1
摘要
利用紧束缚模型，我们报道了在施加压力下扭转双层石墨烯能谱中的带隙开启，且该带隙可进一步被垂直偏置电压放大。谷边位于超晶格布里渊区的 K-Gamma 路径上，在单粒子图像中带隙可达 200 meV。采用半导体 Bloch 方程形式体系，我们观察到由于电子-电子相互作用导致的带隙增强，带隙重整化约为 160 meV。由相应 Bethe-Salpeter 方程的解，我们表明该系统支持高度各向异性的亮激子，其电子与空穴在相邻层间强杂化。
引用
@article{arxiv.2310.09645,
title = {Moir\'e excitons in biased twisted bilayer graphene under pressure},
author = {V. G. M. Duarte and D. R. da Costa and N. M. R. Peres and L. K. Teles and A. J. Chaves},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.09645},
year = {2025}
}
备注
6 pages, 3 figures, supplemental material available from the authors