利用半导体双层石墨烯沟道增强逻辑性能
介观与纳米尺度物理
2011-04-25 v1 材料科学
摘要
在具有能隙的石墨烯中实现逻辑电路仍是石墨烯电子学的主要挑战之一。我们发现，在简单的氧化铝钝化顶栅叠层（直接接触石墨烯沟道，无插入缓冲层）下方的双栅双层石墨烯中，可以实现大的输运能隙（>100 meV）。由于能隙的存在，石墨烯晶体管的电学性能显著增强，表现为开/关电流比、亚阈值斜率和电流饱和度的提升。首次展示了类互补半导体逻辑石墨烯反相器，其性能相比金属型反相器有大幅提升。这一结果可能为能隙工程化石墨烯的逻辑应用开辟道路。
引用
@article{arxiv.1012.3317,
title = {Enhanced Logic Performance with Semiconducting Bilayer Graphene Channels},
author = {Song-Lin Li and Hisao Miyazaki and Hidefumi Hiura and Chuan Liu and Kazuhito Tsukagoshi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.3317},
year = {2011}
}
备注
Accepted by ACS Nano