石墨烯多层结构中依赖于堆叠顺序的带隙电场调控
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
本文研究了石墨烯多层结构的不同堆叠顺序对电场诱导带隙的影响。我们考虑了带正电的顶栅和带负电的背栅，以便独立调控三层和四层石墨烯系统的带隙与费米能。采用自洽Hartree近似下的紧束缚方法，计算了不同石墨烯层上的诱导电荷。我们发现，具有ABC堆叠的三层石墨烯的带隙远大于ABA三层对应的带隙。此外，我们预测对于四层石墨烯，能隙强烈依赖于堆叠方式的选择，并且我们发现不同类型堆叠的带隙比Bernal堆叠的情况大得多。对于中等和较大的诱导电子密度值，三角翘曲使诱导电子带隙的大小改变约30%。
引用
@article{arxiv.1003.0794,
title = {Stacking Order dependent Electric Field tuning of the Band Gap in Graphene Multilayers},
author = {A. A. Avetisyan and B. Partoens and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0794},
year = {2015}
}