掺杂石墨烯中的内部迁移率边：重归一化晶格中的阻挫
材料科学
2011-02-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表明，通过在分裂能带机制中引入杂质或在晶格中产生空位，可以在石墨烯的费米能级附近出现内部局域化迁移率边。与通常的局域化图像不同，该边出现在谱的中心而非能带边缘。这一结果可以通过展示晶格的双部性质允许对哈密顿量进行重归一化来解释，而内部边的出现是由于重归一化晶格中的阻挫效应。具有局域化态的谱区域的能量大小与在窄带隙半导体中观测到的值相似。
引用
@article{arxiv.0707.1013,
title = {Internal mobility edge in doped graphene: frustration in a renormalized lattice},
author = {G. G. Naumis},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.1013},
year = {2011}
}