石墨烯中稀缺陷溶体的子晶格有序化
材料科学
2010-05-28 v1 统计力学
摘要
石墨烯中的缺陷，例如空位或吸附在碳原子上的吸附物，可能优先占据其两个子晶格之一，从而破坏整体的晶格对称性。这会导致电子能谱中打开一个能隙。我们证明，由于电子介导的缺陷之间的长程相互作用，这种子晶格有序化可能在稀缺陷溶体中自发出现。结果可能形成子晶格有序的畴，其电子性质具有二维拓扑绝缘体的特征。
引用
@article{arxiv.1002.2330,
title = {Sublattice ordering in a dilute ensemble of defects in graphene},
author = {V. V. Cheainov and O. Syljuasen and B. L. Altshuler and V. I. Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.2330},
year = {2010}
}
备注
to appear in Europhysics Letters