一种二维碳半导体

我们表明，图案化缺陷可用于破坏石墨烯的子晶格对称性，从而打开一个带隙。这种修改石墨烯电子结构的方式不依赖于外部因素、添加新元素或特殊边界。该方法被用于预测一种具有1.2 eV带隙的平面、低能量石墨烯同素异形体。这种缺陷工程还允许在石墨烯内制造碳半导体纳米带。缺陷的线性排列导致石墨烯中自然嵌入半导体材料的纳米带，为完全由碳构成的二维电路逻辑提供了前景。