利用替代缺陷超晶格进行石墨烯能带工程
材料科学
2016-11-25 v2
摘要
我们研究了氮和硼替代缺陷的石墨烯超晶格，并通过对称性分析和电子结构计算，展示了此类超晶格如何用于调控石墨烯的能带结构。具体而言，取决于超晶格的对称性，本文所考虑的结构既可以保留 Dirac 锥（D_{6h} 超晶格），也可以打开带隙（D_{3h}）。相关的能带参数（载流子有效质量、群速度和带隙（若存在））被发现以 1/n^{p} 的形式依赖于超晶格常数 n，其中 p 根据所考虑的情况在 1-2 范围内取值。总体而言，本文给出的结果表明，可以通过修改少数超晶格参数在很大程度调控石墨烯的能带结构。
引用
@article{arxiv.1008.4706,
title = {Band engineering in graphene with superlattices of substitutional defects},
author = {Simone Casolo and Rocco Martinazzo and Gian Franco Tantardini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.4706},
year = {2016}
}
备注
accepted, J. Phys. Chem. C