人工与真正石墨烯超晶格的电子结构及谷间耦合
介观与纳米尺度物理
2016-02-18 v2
摘要
所谓人工石墨烯是一种人工材料，其低能载流子由无质量Dirac方程描述。对二维电子气施加三角对称周期势是制造此类材料的一种方法。根据近期实验结果，现在可在实验室中实现人工石墨烯，甚至可对其施加额外的横向一维周期势。我们将后者命名为人工石墨烯超晶格，以区别于由石墨烯制成的真正石墨烯超晶格。本研究中，我们调查人工石墨烯超晶格的电子结构，其展现出能带隙的出现、Dirac点的合并与分裂等。然后，通过对真正石墨烯超晶格的类似调查，我们表明许多此类特征源于居住在两个不同的谷中的Dirac费米子之间的耦合，即谷间耦合。此外，与先前研究相反，我们发现无论超晶格的空间周期多长，谷间耦合对电子结构的影响都不可忽略。
引用
@article{arxiv.1602.04993,
title = {The electronic structure and intervalley coupling of artificial and genuine graphene superlattice},
author = {Pilkwang Kim and Cheol-Hwan Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.04993},
year = {2016}
}
备注
28 pages, 15 figures; published in Nano Research. The final publication is available at http://link.springer.com/article/10.1007/s12274-016-1004-2