超高真空下堆叠SiC表面上薄石墨烯层的生长
材料科学
2013-04-23 v1
摘要
我们展示了一种在超高真空条件下于SiC的C面上生长薄石墨烯层的技术。使用两个SiC衬底堆叠，在界面处形成一个半开放腔，以在生长过程中部分限制从样品表面耗尽的硅原子。我们观察到，这种配置显著减缓了石墨烯的生长，使其在UHV环境中于SiC的C面上达到易于控制的速度。将使用堆叠配置生长的样品的低能电子衍射和拉曼光谱测量结果，与使用裸UHV升华过程生长的样品的结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1109.1726,
title = {Growth of thin graphene layers on stacked SiC surface in ultra high vacuum},
author = {C. Celebi and C. Yanik and A. G. Demirkol and Ismet I. Kaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1726},
year = {2013}
}