利用分解氮化硅掩模可扩展地控制 4H-SiC C 面上的石墨烯生长
材料科学
2014-11-25 v2
摘要
石墨烯图案化是器件制备的关键。我们报告了一种方法，通过在石墨化之前沉积 120 nm 至 150 nm 厚的氮化硅 (SiN) 掩模，来增加或减少在碳化硅 C 面 (000-1) 上生长的外延石墨烯的层数。在此过程中，我们发现被富硅 SiN 掩模覆盖的区域比未掩模区域多出一到四层。相反，富氮 SiN 使厚度减少三层。在这两种情况下，掩模均在石墨化完成前分解。拉曼光谱、原子力显微镜 (AFM) 和输运数据观测表明，掩模区域生长的石墨烯质量良好。通过调整生长参数，已实现选择性石墨烯生长和亚微米图案。
引用
@article{arxiv.1307.6197,
title = {Scalable control of graphene growth on 4H-SiC C-face using decomposing silicon nitride masks},
author = {Renaud Puybaret and John Hankinson and James Palmer and Clement Bouvier and Abdallah Ougazzaden and Paul L Voss and Claire Berger and Walt A de Heer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.6197},
year = {2014}
}