SiC 上的外延石墨烯：二维片层、选择性生长与纳米带
介观与纳米尺度物理
2016-11-29 v1
摘要
本文综述了通过限制控制升华法在 SiC 上生长的外延石墨烯，重点介绍了 4H-SiC 碳面上的多层和单层外延石墨烯，以及在阻止生长或促进生长掩模下定向和选择性生长的结构。此外，还介绍了模板化石墨烯纳米结构生长的最新进展，例如数十微米长、宽度为 20-40nm 且受到极好限制与隔离的石墨烯带。同时，还提出了将纳米带阵列与硅晶圆进行大规模集成的方案。
引用
@article{arxiv.1611.08937,
title = {Epitaxial graphene on SiC: 2D sheets, selective growth and nanoribbons},
author = {Claire Berger and Dogukan Deniz and Jamey Gigliotti and James Palmer and John Hankinson and Yiran Hu and Jean-Philippe Turmaud and Renaud Puybaret and Abdallah Ougazzaden and Anton Sidorov and Zhigang Jiang and Walt A. de Heer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08937},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 9 figures