外延石墨烯的生长：理论与实验
材料科学
2016-02-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文详细回顾了过去5-10年关于石墨烯外延生长的文献。对生长在过渡金属和碳化硅上的相关实验与理论方面进行了全面综述。在可能的情况下，讨论了所有这些材料生长的热力学和动力学方面。为使本文对更广泛的读者有用，综述了一系列过去十年中用于生长（例如 CVD、TPG 和偏析法）和表征（STM、LEEM 等）石墨烯的重要实验技术，并对最重要的理论技术进行了批判性调查。最后，我们批判性地讨论了与生长及其机理相关的各种未解决问题，我们认为这些问题在未来的研究中需要适当关注。
引用
@article{arxiv.1602.06707,
title = {Growth of Epitaxial Graphene: Theory and Experiment},
author = {H. Tetlow and J. Posthuma de Boer and I. J. Ford and D. D. Vvedensky and J. Coraux and L. Kantorovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.06707},
year = {2016}
}