SiC 上自生长与准自由站立石墨烯层的结构表征
材料科学
2019-04-11 v2
摘要
我们报道了对两类通过 CVD 在 4H-SiC(0001) 上生长的高质量外延石墨烯层的比较结构表征。所研究的层为缓冲层之上的单层石墨烯，以及通过缓冲层下氢插层获得的准自由站立石墨烯。我们通过多种互补的原位与离表面技术确定了两层的结构与形貌。我们发现两个样品中均存在大尺寸岛，但尺寸分布不同。进行了光发射电子显微镜（PEEM）测量以获取不同区域的化学环境信息。研究揭示，单层石墨烯在多数表面平台上占主导，而在台阶、沿台阶条带及岛处观察到双层与三层石墨烯的存在。
引用
@article{arxiv.1902.10976,
title = {Structural characterization of as-grown and quasi-free standing graphene layers on SiC},
author = {R. A. Bueno and I. Palacio and C. Munuera and L. Aballe and M. Foerster and W. Strupinski and M. Garcia-Hernandez and J. A. Martin-Gago and M. F. Lopez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.10976},
year = {2019}
}
备注
This manuscript version is made available under the CC-BY-NC-ND 4.0 license, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/