硅向石墨烯-SiC 界面的插层
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
在本工作中，我们使用 LEEM、XPEEM 和 XPS 研究石墨烯-真空界面处多余的硅在高温下如何重新排列。我们表明，在室温下沉积到生长于 SiC(000[`1]) 上的多层石墨烯薄膜上的硅，当加热至 1020 以上时会迅速扩散到石墨烯-SiC 界面。在一系列沉积过程中，我们成功地将约 6 ML 的硅插层到石墨烯-SiC 界面中。
引用
@article{arxiv.1111.2946,
title = {Silicon intercalation into the graphene-SiC interface},
author = {F. Wang and K. Shepperd and J. Hicks and M. S. Nevius and H. Tinkey and A. Tejeda and A. Taleb-Ibrahimi and F. Bertran and P. Le F`evre and D. B. Torrance and P. First and W. A. de Heer and A. A. Zakharov and E. H. Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.2946},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 8 figures, submitted to PRB