SiC(000-1)表面上石墨烯的形貌
材料科学
2015-05-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
通过在真空中退火，在SiC(000-1)表面（即晶体的所谓C面）上形成石墨烯，并利用原子力显微镜、俄歇电子能谱、扫描俄歇显微镜和拉曼光谱对所得薄膜进行表征。将这些薄膜的形貌与在SiC(0001)表面（Si面）上生长的石墨烯薄膜进行了比较。石墨烯在C面上形成阶梯状形貌，而在Si面上则形成更平坦的形貌。认为这种差异是由于两种情况下的界面结构不同所致。对于某些SiC晶片，发现在石墨烯顶部形成了纳米晶石墨。
引用
@article{arxiv.0907.5239,
title = {Morphology of Graphene on SiC(000-1) Surfaces},
author = {Luxmi and P. J. Fisher and N. Srivastava and R. M. Feenstra and Yugang Sun and J. Kedzierski and P. Healey and Gong Gu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.5239},
year = {2015}
}
备注
Submitted to Applied Physics Letters; 9 pages, 3 figures; corrected the stated location of Raman G line for NCG spectrum, to 1596 cm^-1