SiC(0001) 上石墨烯薄膜生长的形貌
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
SiC(0001) 上的外延石墨烯薄膜在基础物理和应用导向方面均具有重要意义。在此，我们利用低能电子显微镜（LEEM）和角分辨光电子能谱（ARPES）研究了真空制备石墨烯薄膜的涌现形貌。通过比较 LEEM 中电子反射率谱的特征与 ARPES 揭示的 PI 能带结构，我们实现了对单层和双层石墨烯薄膜的识别。我们证明了 LEEM 可作为准确测定石墨烯层局部范围及层厚的工具。
引用
@article{arxiv.0710.0877,
title = {Morphology of graphene thin film growth on SiC(0001)},
author = {Taisuke Ohta and Farid El Gabaly and Aaron Bostwick and Jessica McChesney and Konstantin V. Emtsev and Andreas K. Schmid and Thomas Seyller and Karsten Horn and Eli Rotenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.0877},
year = {2009}
}