少层石墨烯薄膜中的对称性破缺
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
最近的研究表明，利用角分辨光电子能谱 (ARPES) 测量在 SiC 上外延生长的少层石墨烯薄膜的谱函数，可以提取准粒子动力学、层依赖电荷与势以及 c 轴屏蔽系数。在本文中，我们回顾了这些发现，并提出了从 ARPES 中提取此类参数的详细方法。我们还提出了详细的论据，反对在狄拉克交叉点 处存在能隙的可能性。
引用
@article{arxiv.0705.3705,
title = {Symmetry Breaking in Few Layer Graphene Films},
author = {Aaron Bostwick and Taisuke Ohta and Jessica L. McChesney and Konstantin V. Emtsev and Thomas Seyller and Karsten Horn and Eli Rotenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.3705},
year = {2009}
}
备注
23 pages, 13 figures, Conference Proceedings of DPG Meeting Mar 2007 Regensburg Submitted to New Journal of Physics