SiC(0001) 外延石墨烯中观测到的小尺度旋转无序

石墨烯在电子器件中的应用兴趣激发了对这一非凡材料研究的爆发式增长。简单的线性 Dirac 锥能带结构提供了通过角分辨光电子能谱 (ARPES) 研究其细微细节的独特可能性。事实上，已在金属衬底上生长的石墨烯上进行了 ARPES 研究，但电子应用需要绝缘衬底。通过碳化硅 (SiC) 热分解生长的外延石墨烯是理想的候选者，因为它能产生大规模、均匀的石墨烯层。SiC 上外延石墨烯的实验谱函数已被广泛研究。然而，直到现在，Fermi 面谱宽各向异性的原因尚未确定。在目前的工作中，我们通过将谱函数与半经验模型进行比较表明，这种各向异性是由于在 SiC(0001) 样品上生长的石墨烯域中存在小尺度旋转无序 ($\sim\pm$ 0.15$^{\circ}$) 所致。除了直接有助于理解石墨烯的电子结构外，这项工作还提出了一种机制来解释相关 ARPES 数据中的类似变化。