SiC 衬底上外延石墨烯的拉曼光谱研究

通过退火在 SiC 衬底上制备外延石墨烯（EG）引起了广泛关注，因为它可能加速石墨烯在未来电子器件中的应用。EG 与 SiC 衬底之间的相互作用对其电子和物理性质至关重要。本工作利用拉曼光谱研究了 EG 的结构及其与 SiC 衬底的相互作用。EG 的所有拉曼谱带相较于块体石墨和机械剥离法制备的石墨烯均发生蓝移，这归因于衬底诱导的压应变。为了解释应变的起源，我们构建了一个包含 13 x 13 个石墨烯蜂窝晶格单元位于碳纳米网格上的模型。石墨烯层与衬底之间的晶格失配导致石墨烯承受 2.27 GPa 的压应力。我们还证明，在 Si 终止和 C 终止的 SiC 衬底上生长的 EG，其电子结构存在显著差异。我们的实验结果揭示了石墨烯与 SiC 衬底之间的相互作用，这对 EG 的未来应用至关重要。