制备时及1.5年后的铜/石墨烯界面的原子与电子结构
材料科学
2017-09-13 v1 介观与纳米尺度物理
化学物理
计算物理
摘要
我们报道了在高品质铜表面制备的石墨烯以及相同材料在不同条件（环境大气和低湿度）下放置1.5年后的X射线光谱和拉曼测量结果。将所得结果与石墨烯/铜界面中各种结构缺陷的形成能和电子结构的密度泛函理论计算进行了比较。为评估碳覆盖层的稳定性，我们提出了一个两步模型。第一步是石墨烯的氧化，第二步是石墨烯的穿孔，碳原子的移除作为二氧化碳分子的一部分。建模和实验测量的结果提供了证据，表明在高品质铜基底上生长的石墨烯随时间（1.5年）变得坚固且稳定。然而，该界面的稳定性取决于石墨烯的质量以及石墨烯和基底中固有缺陷的数量。还讨论了具有缺陷的金属基底的存在对石墨烯稳定性和电子结构的影响。
引用
@article{arxiv.1707.09698,
title = {Atomic and electronic structure of a copper/graphene interface as prepared and 1.5 years after},
author = {D. W. Boukhvalov and P. F. Bazylewski and A. I. Kukharenko and I. S. Zhidkov and Yu. S. Ponosov and E. Z. Kurmaev and S. O. Cholakh and Y. H. Lee and G. S. Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.09698},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 6 figures, accepted to Appl. Surf. Sci