硼掺杂石墨烯/铜界面的稳定性：DFT、XPS与OSEE研究
材料科学
2018-03-14 v1 应用物理
化学物理
摘要
研究了使用两种不同 Ar 流过含硼源鼓泡器的流速合成的两种不同类型硼掺杂石墨烯/铜界面。X 射线光电子能谱（XPS）和光刺激电子发射（OSEE）测量表明，硼掺杂石墨烯涂层对 Cu 衬底提供了高耐腐蚀性，且碳覆盖层仅有轻微氧化痕迹。密度泛函理论计算表明，对于取代型（石墨化）硼缺陷，仅硼杂质附近的氧化在能量上是有利的，而产生可诱导铜衬底氧化的空位在能量上是不利的。在非石墨化硼缺陷氧化区域，附近杂质处于亚稳态，这不仅阻止氧化还形成了硼掺杂石墨烯。氧还原反应的建模显示了这些材料的高催化性能。
引用
@article{arxiv.1802.02345,
title = {Stability of boron-doped graphene/copper interface: DFT, XPS and OSEE studies},
author = {D. W. Boukhvalov and I. S. Zhidkov and A. I. Kukharenko and A. I. Slesarev and A. F. Zatsepin and S. O. Cholakh and E. Z. Kurmaev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.02345},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 8 figures, to appear in Appl. Surf. Sci