面外硼掺杂还原氧化石墨烯中的电荷序
材料科学
2025-06-12 v1
摘要
金属间插层石墨烯中类似于超导性（SC）、电荷序（CO）等的对称性破缺相变，源于修饰后的电子和声子能带结构。面外软振动演化出的强载流子-晶格相互作用伴随面外区域电荷积累，可为石墨烯体系中的电荷序创造有利环境。在此，我们采用硼掺杂还原氧化石墨烯（BG）在转变温度T1≈97.5 K以上获取电荷序态。通过第一性原理模拟和低温电输运测量识别了该态的特征。面外硼基团在增强电子-声子耦合（EPC）方面发挥关键作用，使有序态转变成为可能。温度依赖的拉曼光谱进一步支持了有序化的出现。关键表征技术（X射线衍射、拉曼光谱等）用于量化EPC相互作用及影响电荷序的掺杂相关因素，如拉伸应变、边界缺陷等。此外，我们发现了该非金属、轻原子掺杂化学衍生石墨烯中电荷序的电场依赖性。
引用
@article{arxiv.2506.09567,
title = {Charge Ordering in out-of-plane Boron Doped Reduced Graphene Oxide},
author = {Saikat Sarkar and Rajarshi Roy and Bikram Kumar Das and Suman Chatterjee and Kalyan Kumar Chattopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.09567},
year = {2025}
}