通过钆插层在石墨烯中引入强关联效应
强关联电子
2019-10-01 v1 材料科学
摘要
当单层石墨烯掺杂至范霍夫奇点时，预期会诱导出由电子关联驱动的新奇有序基态。通过在 SiC(0001) 上的石墨烯中插层 Gd 可达到此种掺杂水平，从而带来很强的均匀性与稳定性。电子能谱现在表现出严重的重整化。根据我们的理论研究，平带的发展由电子关联所驱动。由于该 regime 下强电子-声子耦合，极化子复制能带得以发展。因此，有趣的有序基态应当变得可触及。
引用
@article{arxiv.1909.08023,
title = {Introducing strong correlation effects into graphene by gadolinium intercalation},
author = {S. Link and S. Forti and A. Stöhr and K. Küster and M. Rösner and D. Hirschmeier and C. Chen and J. Avila and M. C. Asensio and A. A. Zakharov and T. O. Wehling and A. I. Lichtenstein and M. I. Katsnelson and U. Starke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.08023},
year = {2019}
}