基于FeCl3的少层石墨烯插层化合物：单一线性色散电子能带结构与强电荷转移掺杂
材料科学
2010-11-04 v1
摘要
自2004年首次发现以来，石墨烯引起了极大关注。人们提出了各种方法来控制其物理和电子性质。本文报道，基于石墨烯的插层化合物是修饰少层石墨烯电子性质的有效方法。通过两区气相输运法成功制备了FeCl3插层的少层石墨烯。这是关于石墨烯样品完全插层的首次报道。此类少层石墨烯插层化合物的拉曼G峰特征与其完全插层结构非常吻合。FLGIC呈现出与单层石墨烯相似的单洛伦兹型2D峰，表明相邻石墨烯层之间电子耦合的丧失。第一性原理计算进一步揭示，FLGIC的能带结构与单层石墨烯相似，但由于从石墨烯到FeCl3的电荷转移而具有强掺杂效应。FLGIC的成功制备为修饰FLG的性质以用于基础研究和未来应用开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.1006.4961,
title = {FeCl3 based Few-Layer Graphene Intercalation Compounds: Single Linear Dispersion Electronic Band Structure and Strong Charge Transfer Doping},
author = {Da Zhan and Li Sun and Zhenhua Ni and Lei Liu and Xiaofeng Fan and Yingying Wang and Ting Yu and Yeng Ming Lam and Wei Huang and Zexiang Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.4961},
year = {2010}
}
备注
19 pages, 6 figures, accepted by Advanced Functional Materials