高质量石墨烯器件在室温下明确定义 Kohn 反常的观测
介观与纳米尺度物理
2022-07-21 v1
摘要
由于其超薄特性，石墨烯量子光电子学研究（如栅压依赖的石墨烯拉曼特性）受到衬底及周围环境相互作用的干扰。例如，使用带封盖热氧化层的掺杂硅将观测限制在了低温下与绝热 Born-Oppenheimer 近似失效相关的明确定义 Kohn 反常行为。在此，我们设计了一种光电子器件，由单层石墨烯与薄石墨引线形成电接触，置于原子级平坦的六方氮化硼 (hBN) 衬底上，并以超薄金 (Au) 层作为栅极。我们表明该器件光学透明、无背景光学峰及器件组件的光致发光，且不产生激光诱导的静电掺杂（光掺杂）。这使得室温栅压依赖的拉曼光谱效应得以实现，而这些效应此前仅在低温下被观测到，尤其是 Kohn 反常声子能量归一化。这种通过使石墨烯光电子特性与衬底效应解耦的新器件架构，使得在室温下观测量子现象成为可能。
引用
@article{arxiv.2207.09595,
title = {Observation of well-defined Kohn-anomaly in high-quality graphene devices at room temperature},
author = {Andreij C. Gadelha and Rafael Nadas and Tiago C. Barbosa and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Leonardo C. Campos and Markus B. Raschke and Ado Jorio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.09595},
year = {2022}
}