六方氮化硼上石墨烯的栅压依赖拉曼光谱
材料科学
2013-12-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
拉曼光谱是一种快速且无损的成像方法，可用于监测石墨烯器件中的掺杂水平。我们在原子级平整的六方氮化硼 (hBN) 薄片和 SiO 衬底上制备了化学气相沉积 (CVD) 生长的石墨烯。利用离子凝胶作为顶栅，我们比较了它们的拉曼响应随电荷载流子密度的变化。G 峰位置、2D 峰位置、2D 峰宽以及 2D 峰面积与 G 峰面积之比显示出对载流子密度的依赖性，且 hBN 与 SiO 的情况有所不同。利用二维映射的直方图来比较两种衬底之间拉曼峰特性的涨落。研究发现，由于其原子级平整的表面和减少的带电杂质，hBN 衬底在相同电荷密度下产生的涨落更少。
引用
@article{arxiv.1310.6663,
title = {Gate dependent Raman spectroscopy of graphene on hexagonal boron nitride},
author = {Kanokporn Chattrakun and Shengqiang Huang and K. Watanabe and T. Taniguchi and A. Sandhu and B. J. LeRoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.6663},
year = {2013}
}