SiO2 上石墨烯掺杂区域的拉曼成像
材料科学
2008-01-24 v1
摘要
我们展示了单层石墨烯微片中 G 峰和 2D 峰的空间分辨拉曼图像。G 峰和 2D 峰的空间涨落具有相关性，表明它们与局部掺杂区域有关。我们研究了 2D 峰（识别单层石墨烯最重要的拉曼峰）位置随电荷量（高达 |n|~4 10^12 cm^-2）的变化。与 G 峰在电子和空穴掺杂下表现出强烈且对称的硬化不同，2D 峰在低掺杂下表现出微弱且略微不对称的硬化。此外，与 G 峰不同，2D 峰的线宽与掺杂无关，这使得该量成为识别单层石墨烯的可靠指标。
引用
@article{arxiv.0709.4156,
title = {Raman imaging of doping domains in graphene on SiO2},
author = {C. Stampfer and L. Wirtz and A. Jungen and D. Graf and F. Molitor and C. Hierold and K. Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.4156},
year = {2008}
}